Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах. Учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий

На основе опыта проектирования широкополосных и сверхширокополосных СВЧ-усилителей излагаются основные этапы проектирования усилителей с полевым транзистором с барьером Шоттки в качестве активного элемента, рассматриваются некоторые расчетные и измерительные работы, выполняемые на каждом этапе. Обсуждаются практические вопросы, связанные с выбором транзистора, схемы его включения и рабочей точки, схемы построения усилителя. Приводятся инженерные формулы, связывающие характеристики проектируемых изделий с параметрами используемых приборов и материалов. Для студентов, магистрантов и аспирантов, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Физика».